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晶体管
BCX5610TA参考图片

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BCX5610TA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 1K
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库存:15,920(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥2.1809
21.809
100
¥1.00683
100.683
1,000
¥0.7684
768.4
2,000
¥0.66105
1322.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
500 mV
最大直流电集电极电流
1 A
增益带宽产品fT
150 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BCX56
直流电流增益 hFE 最大值
160
高度
1.5 mm
长度
4.6 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.6 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
63
Pd-功率耗散
1000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
52 mg
商品其它信息
优势价格,BCX5610TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块
1:¥8,726.3346
5:¥8,586.87
参考库存:3111
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
1:¥1.5368
10:¥1.4238
100:¥0.49946
1,000:¥0.32996
10,000:¥0.22261
20,000:查看
参考库存:49908
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF101AN/SIL3///TUBE NDP SMALL
1:¥168.0536
5:¥165.432
10:¥154.9908
25:¥139.3064
参考库存:4830
晶体管
MOSFET N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥21.5152
10:¥18.2834
100:¥15.8313
250:¥15.0629
500:¥13.5261
参考库存:3102
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package
1:¥13.9894
10:¥11.9102
100:¥9.5259
500:¥8.2942
3,000:¥6.441
6,000:查看
参考库存:3674
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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