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晶体管
IRLR120NTRLPBF参考图片

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IRLR120NTRLPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 100V 11A 185mOhm 13.3nC LogLv
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数量单价合计
1
¥6.4523
6.4523
10
¥5.537
55.37
100
¥4.2601
426.01
500
¥3.7629
1881.45
1,000
¥2.9719
2971.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
265 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
13.3 nC
Pd-功率耗散
39 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001568906
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IRLR120NTRLPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块
100:¥609.183
参考库存:46057
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥1,992.4612
5:¥1,943.2836
10:¥1,896.5694
25:¥1,827.6394
参考库存:46062
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥5.3788
10:¥4.5087
25:¥4.068
100:¥3.6047
3,000:¥1.8645
6,000:查看
参考库存:46067
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 30/40V
暂无价格
参考库存:46072
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,281.0019
参考库存:46077
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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