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晶体管
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FQP11N40C

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数量单价合计
1
¥11.6842
11.6842
10
¥9.9101
99.101
100
¥7.91
791
500
¥6.9721
3486.05
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
400 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
530 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
135 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FQP11N40C
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
7.1 S
下降时间
81 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
89 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
81 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
FQP11N40C_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，FQP11N40C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPB029N06N3GATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
1:¥13.5261
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.0682
1,000:¥6.6896
参考库存:6141
BSZ058N03MS G
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
5,000:¥2.3391
参考库存:19068
MJD253-1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 4A 100V 12.5W PNP
1:¥5.4579
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
参考库存:4955
IPP023N04NGXKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 90A TO220-3
1:¥14.6787
10:¥12.4526
100:¥9.9892
500:¥8.6784
1,000:¥7.2433
参考库存:5392
SPD18P06PGBTMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET P-Ch -60V -18.6A DPAK-2
1:¥8.4524
10:¥7.2659
100:¥5.5822
500:¥4.9381
2,500:¥3.4578
10,000:查看
参考库存:25729

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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