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晶体管
SIHG460B-GE3参考图片

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SIHG460B-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 500V 250mOhm@10V 20A N-Ch D-SRS
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数量单价合计
1
¥30.736
30.736
10
¥25.5154
255.154
100
¥20.9728
2097.28
250
¥20.2835
5070.875
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
250 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
85 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
278 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
系列
D
宽度
5.31 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
56 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
31 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
117 ns
典型接通延迟时间
24 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,SIHG460B-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82 mohms @ 10V
1:¥5.8421
10:¥4.6669
100:¥3.5369
500:¥2.9154
1,000:¥2.3391
3,000:¥2.1244
参考库存:376509
晶体管
MOSFET LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V
1:¥2.0792
10:¥1.356
100:¥0.56839
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.29154
参考库存:29511
晶体管
MOSFET 20V 3.2A N-Channel
1:¥3.2318
10:¥2.2374
100:¥1.02943
1,000:¥0.791
3,000:¥0.67574
参考库存:623828
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) I2C BUS 1Kbit EEPROM
1:¥3.0736
10:¥2.5086
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.01474
参考库存:15680
晶体管
MOSFET 40V N-Channel NexFET Power MOSFET
1:¥10.7576
10:¥9.1417
100:¥7.0399
250:¥7.0399
500:¥6.2263
参考库存:7877
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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