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晶体管
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PMXB43UNEZ

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET 20 V, N-channel Trench MOSFET
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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.5764
25.764
100
¥1.5707
157.07
1,000
¥1.2204
1220.4
5,000
¥1.03734
5186.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-1010D-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
3.2 A
Rds On-漏源导通电阻
120 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
5.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.07 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Nexperia
正向跨导 - 最小值
28 S
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17 ns
典型接通延迟时间
6 ns
单位重量
1.200 mg
商品其它信息
优势价格，PMXB43UNEZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STD80N3LL
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET
5,000:¥1.9775
10,000:¥1.9097
25,000:¥1.8306
50,000:¥1.7967
参考库存:45539
DMT3006LDV-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
3,000:¥2.0566
参考库存:45544
2N3495
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 120Vcbo 120Vceo 4.5Vebo 100mA 0.6W
1:¥78.6028
10:¥77.7666
25:¥72.0036
100:¥66.1615
参考库存:7032
MRF151GC
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
15:¥929.764
25:¥899.028
50:¥726.5222
100:¥697.1648
参考库存:45551
TC8020K6-G M937
Microchip Technology
晶体管
MOSFET 6-Pair, N- and P-Ch Enhancement MOSFET
3,000:¥47.9459
参考库存:45556

  • 海量现货

    50万现货SKU

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