您好!欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
FNE41060参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

FNE41060

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:2,760(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥117.7234
117.7234
10
¥108.2653
1082.653
25
¥103.8131
2595.3275
100
¥91.4396
9143.96
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
3-Phase
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
10 A
Pd-功率耗散
34 W
封装 / 箱体
SPMAA-A26
封装
Tube
系列
FNE41060
商标
ON Semiconductor / Fairchild
安装风格
Through Hole
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
72
子类别
IGBTs
单位重量
16.712 g
商品其它信息
优势价格,FNE41060的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.4-5.0GHz, 200 Watt
暂无价格
参考库存:41996
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥195.3996
250:¥179.3423
500:¥170.6639
参考库存:42001
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥197.7048
200:¥181.4215
500:¥172.664
参考库存:42006
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥1,354.9943
参考库存:42011
晶体管
MOSFET N-ch 30V 40A DP
暂无价格
参考库存:42016
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话:0755-82331103

手机:13048971103

传真:0755-82331102

Email: 1531762882@qq.com

Q Q:

地址:深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号

24小时在线客服
热线电话
微信联系我们 微信扫码联系我们