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晶体管
BD13610STU参考图片

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BD13610STU

  • ON Semiconductor / Fairchild
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial
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1
¥3.616
3.616
10
¥2.938
29.38
100
¥1.7854
178.54
1,000
¥1.3786
1378.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-126-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 45 V
集电极—基极电压 VCBO
- 45 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 0.5 V
最大直流电集电极电流
1.5 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BD136
直流电流增益 hFE 最大值
250
高度
11 mm
长度
8 mm
封装
Tube
宽度
3.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
- 1.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
Pd-功率耗散
12.5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1920
子类别
Transistors
单位重量
761 mg
商品其它信息
优势价格,BD13610STU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 H/V, H/C Darlington Transistor
1,250:¥2.486
2,000:¥2.2487
5,000:¥2.1018
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1:¥32.4988
10:¥27.5833
100:¥23.9786
250:¥22.7469
1,000:¥17.2099
2,000:查看
参考库存:6934
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双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN 200mW
1:¥3.0736
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:46886
晶体管
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1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥7.7631
500:¥6.8817
1,000:¥5.424
参考库存:6938
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS
1:¥1.3786
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:53405
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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