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产品分类

晶体管
NGTB40N135IHRWG参考图片

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NGTB40N135IHRWG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 1350V/40A IGBT FSII TO-24
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数量单价合计
1
¥41.1094
41.1094
10
¥34.9622
349.622
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1350 V
集电极—射极饱和电压
2.4 V
栅极/发射极最大电压
25 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
394 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
NGTB40N135IHR
封装
Tube
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格,NGTB40N135IHRWG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 JFET N-CH 25V 10MA
1:¥6.9947
10:¥6.2376
25:¥5.6387
100:¥4.9381
3,000:¥2.6781
6,000:查看
参考库存:102460
晶体管
MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
1:¥6.6105
10:¥5.4692
100:¥3.5256
1,000:¥2.825
2,500:¥2.825
参考库存:26147
晶体管
MOSFET 40V N-Channel PowerTrench
1:¥12.1362
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥6.9947
2,500:¥4.8929
10,000:查看
参考库存:8679
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 75W 12.5V TO270WB4G
1:¥165.8953
10:¥152.5274
25:¥145.77
100:¥128.8652
500:¥111.2598
参考库存:5281
晶体管
MOSFET N-Chan 400V 3.1 Amp
1:¥10.5994
10:¥8.4524
100:¥7.4354
500:¥5.763
1,000:¥4.5539
参考库存:32148
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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