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晶体管
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FDD5N50NZTM

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库存:17,721(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.0738
7.0738
10
¥5.8986
58.986
100
¥3.8081
380.81
1,000
¥3.0397
3039.7
2,500
¥2.5651
6412.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
1.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
62 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FDD5N50NZ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
3.54 S
下降时间
21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格,FDD5N50NZTM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTC144VMB/XQFN3/REEL 7" Q1/T1
1:¥2.6894
10:¥1.8645
100:¥0.78422
1,000:¥0.52997
10,000:¥0.35369
20,000:查看
参考库存:52658
晶体管
MOSFET Pch -45V Vdss -4.5A TO-252(DPAK); TO-252
1:¥8.9948
10:¥7.684
100:¥5.9325
500:¥5.2432
1,000:¥4.1358
2,500:¥3.6612
参考库存:15110
晶体管
IGBT 晶体管 19 A - 600 V Very fast IGBT
1:¥20.3626
10:¥17.289
100:¥13.8312
500:¥12.1362
参考库存:2872
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 63.3A TO247-3
1:¥116.1075
10:¥106.7285
25:¥102.2763
100:¥90.1288
参考库存:5044
晶体管
MOSFET
1:¥9.1417
10:¥7.7631
100:¥5.989
500:¥5.2997
2,500:¥3.7064
10,000:查看
参考库存:34041
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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