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晶体管
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IPP50R380CE

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数量单价合计
1
¥7.91
7.91
10
¥6.78
67.8
100
¥5.2093
520.93
500
¥4.5991
2299.55
1,000
¥3.6386
3638.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
14.1 A
Rds On-漏源导通电阻
350 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
24.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
98 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS CE
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
8.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.6 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
7.2 ns
零件号别名
IPP50R380CEXKSA1 SP000850818
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP50R380CE的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥2.9945
10:¥1.9888
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100:¥4.1584
500:¥3.6725
2,500:¥2.5764
10,000:查看
参考库存:20057
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1:¥8.4524
10:¥7.2094
100:¥5.537
500:¥4.8929
1,000:¥3.8646
1,500:¥3.8646
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晶体管
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1:¥0.84524
10:¥0.73789
100:¥0.26103
1,000:¥0.17628
10,000:¥0.11526
20,000:查看
参考库存:338086
晶体管
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1:¥3.616
10:¥2.3617
100:¥1.01474
1,000:¥0.78422
2,000:¥0.59212
参考库存:110813
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    50万现货SKU

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