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晶体管
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FQD1N80TM

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数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.2771
52.771
100
¥3.4013
340.13
1,000
¥2.7233
2723.3
2,500
¥2.7233
6808.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
1 A
Rds On-漏源导通电阻
20 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FQD1N80
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
0.75 S
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
FQD1N80TM_NL
单位重量
260 mg
商品其它信息
优势价格,FQD1N80TM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL 60V 1A LOWVCESA
1:¥4.5313
10:¥3.7516
100:¥2.2939
1,000:¥1.7628
3,000:¥1.5029
参考库存:12805
CEL
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
1:¥8.8366
10:¥6.7574
100:¥4.9155
500:¥4.181
10,000:¥3.0736
20,000:查看
参考库存:119262
晶体管
MOSFET 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
1:¥22.6678
10:¥18.8258
100:¥14.5996
500:¥12.7577
3,000:¥12.7577
参考库存:37894
晶体管
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1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥16.5206
250:¥15.6731
5,000:¥10.8367
参考库存:24056
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,500:¥1.8419
参考库存:49063
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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