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晶体管
SIHA15N60E-E3参考图片

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SIHA15N60E-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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库存:6,207(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥23.5944
23.5944
10
¥19.5942
195.942
100
¥15.2098
1520.98
500
¥13.2888
6644.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
280 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
38 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
34 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.49 mm
长度
10.41 mm
系列
E
宽度
4.7 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
33 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
51 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
17 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,SIHA15N60E-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor
1:¥3.1527
10:¥1.9888
100:¥0.85315
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:28642
晶体管
MOSFET 80V N-CH NexFET Pwr MOSFET
1:¥14.3736
10:¥12.2153
100:¥9.6841
500:¥8.5315
参考库存:3884
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 180V 1A NPN HI VLTGE LO VCESAT TRANSISTOR
1:¥2.9945
10:¥2.2826
100:¥1.2317
1,000:¥0.92999
3,000:¥0.79891
参考库存:30671
晶体管
MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET
1:¥11.1418
参考库存:5693
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT NPN 50V 0.1A 6PIN
1:¥3.0736
10:¥2.147
100:¥0.9831
1,000:¥0.76049
8,000:¥0.59212
24,000:查看
参考库存:41025
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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