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晶体管
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FDC365P

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库存:44,907(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.2264
8.2264
10
¥7.0286
70.286
100
¥5.4014
540.14
500
¥4.7686
2384.3
3,000
¥3.3448
10034.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SSOT-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
35 V
Id-连续漏极电流
4.3 A
Rds On-漏源导通电阻
55 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.6 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
FDC365P
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.6 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
7 ns
单位重量
30 mg
商品其它信息
优势价格,FDC365P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 60 Volt 4 Amp
1:¥6.4523
10:¥5.4466
100:¥4.181
500:¥3.6951
4,000:¥2.5877
8,000:查看
参考库存:306762
晶体管
MOSFET Small Signal MOSFET
1:¥4.0002
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:233884
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 80Vcbo 65Vceo 5.0Vebo 100mA
1:¥3.2996
10:¥2.3843
100:¥1.3673
1,000:¥0.99892
3,000:¥0.86106
参考库存:8086
晶体管
MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
1:¥7.7631
10:¥6.6331
100:¥5.0963
500:¥4.4974
1,000:¥3.5482
2,500:¥3.5482
参考库存:16393
晶体管
IGBT 模块 PIM 1200V 40A DU BST SiC DIODE
1:¥595.0467
5:¥584.1422
10:¥569.0793
25:¥557.8584
参考库存:4035
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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