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晶体管
MSA1162GT1G参考图片

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MSA1162GT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 60V PNP
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库存:53,176(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1.1526
1.1526
10
¥0.99101
9.9101
100
¥0.35369
35.369
1,000
¥0.23843
238.43
3,000
¥0.17628
528.84
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-59-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
0.5 V
最大直流电集电极电流
0.1 A
增益带宽产品fT
80 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MSA1162
高度
1.09 mm
长度
2.9 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.5 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
0.1 uA
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
Pd-功率耗散
200 mW (1/5 W)
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,MSA1162GT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET TRENCH_MOSFETS
1:¥6.3054
10:¥5.2658
100:¥3.4013
1,000:¥2.7233
2,000:¥2.7233
参考库存:20407
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8--600 MHz 150 W CW 50 V
1:¥297.6759
5:¥282.613
10:¥277.6975
25:¥251.7301
参考库存:4184
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS:
1:¥2.6103
10:¥1.7176
100:¥0.73789
1,000:¥0.56839
10,000:¥0.3842
20,000:查看
参考库存:48656
晶体管
MOSFET 250V 3.0A 117 OHM NCH ULTRAFE
1:¥12.9046
10:¥10.9836
100:¥8.8366
500:¥7.6049
1,000:¥6.3506
2,500:¥6.3506
参考库存:45153
晶体管
MOSFET N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS
1:¥6.9947
10:¥5.8421
100:¥3.7629
1,000:¥3.0171
5,000:¥3.0171
参考库存:90785
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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