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晶体管
BSC084P03NS3E G参考图片

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BSC084P03NS3E G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -30V -78.6A TDSON-8 OptiMOS P3
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库存:12,455(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.2942
8.2942
10
¥7.0964
70.964
100
¥5.4466
544.66
500
¥4.8138
2406.9
1,000
¥3.8081
3808.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
78.6 A
Rds On-漏源导通电阻
8.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
43.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
69 W
配置
Single
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS P3
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
8.1 nS
产品类型
MOSFET
上升时间
133.5 nS
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33.3 nS
零件号别名
BSC084P03NS3EGATMA1 BSC84P3NS3EGXT SP000473012
商品其它信息
优势价格,BSC084P03NS3E G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SUPERFET3 260MOHM TO252
1:¥11.4469
10:¥9.7632
100:¥7.7631
500:¥6.8365
2,500:¥5.2771
5,000:查看
参考库存:27790
晶体管
MOSFET TRENCH_MOSFETS
1:¥27.9675
10:¥23.7413
100:¥20.5886
250:¥19.5151
800:¥14.7578
2,400:查看
参考库存:4464
晶体管
MOSFET 40V N CH MOSFET
1:¥12.6786
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.5484
2,500:¥5.8195
5,000:查看
参考库存:104546
晶体管
MOSFET -150V Vds 20V Vgs SC70-6
1:¥6.9947
10:¥5.6161
100:¥4.2601
500:¥3.5143
1,000:¥2.825
3,000:¥2.5538
参考库存:98293
晶体管
MOSFET N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
1:¥4.3844
10:¥3.3335
100:¥2.4747
500:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.5707
参考库存:98760
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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