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晶体管
IRFS3306TRLPBF参考图片

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IRFS3306TRLPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg
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库存:7,967(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥17.6732
17.6732
10
¥15.0629
150.629
100
¥11.9893
1198.93
500
¥10.5316
5265.8
800
¥8.6784
6942.72
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
160 A
Rds On-漏源导通电阻
3.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
85 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
230 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
230 S
下降时间
77 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
76 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
SP001568056
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IRFS3306TRLPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 150V 21A D2PAK-2 OptiMOS 3
1:¥12.1362
10:¥10.3734
100:¥7.91
500:¥7.0512
1,000:¥5.5709
参考库存:9084
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Silicon diffused power transistor
1:¥3.1527
10:¥2.147
100:¥1.02152
1,000:¥0.78422
参考库存:54231
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3
1:¥7.1416
10:¥5.8986
100:¥4.52
500:¥3.8872
3,000:¥2.8702
6,000:查看
参考库存:34348
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SOT-563 DUAL 47/22 K OHM
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
4,000:¥0.71416
参考库存:44850
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR PNP 50V SOT23
1:¥0.84524
10:¥0.82264
100:¥0.29154
1,000:¥0.1921
10,000:¥0.13108
20,000:查看
参考库存:254802
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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