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晶体管
IKW20N60T参考图片

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IKW20N60T

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 20A
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库存:6,595(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥28.815
28.815
10
¥24.4306
244.306
100
¥21.2101
2121.01
250
¥20.1366
5034.15
500
¥18.0574
9028.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
166 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
20.95 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW20N60TFKSA1 IKW2N6TXK SP000054886
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IKW20N60T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR DPAK 50V
1:¥5.8421
10:¥4.8364
100:¥3.1301
1,000:¥2.4973
2,500:¥2.1131
参考库存:13920
晶体管
MOSFET 30V 42A 2.5mohms NCh PowerTrench MOSFET
1:¥8.6784
10:¥7.4128
100:¥5.6952
500:¥5.0285
3,000:¥3.5256
9,000:查看
参考库存:59967
晶体管
MOSFET N-Ch Dual 30V 9A 1.5W 1190pF
1:¥9.2999
10:¥7.8422
100:¥6.8252
500:¥5.2997
2,500:¥3.7064
10,000:查看
参考库存:5939
晶体管
MOSFET NFET SO8 30V 11.4A 9MOHM
1:¥6.5314
10:¥5.4692
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
2,500:¥2.3843
参考库存:12821
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 50V VCBO 50V VCEO 100mA IC 100mW
1:¥1.921
10:¥1.3108
100:¥0.53788
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.30736
24,000:¥0.23052
参考库存:34248
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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