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晶体管
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NST848BF3T5G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN GP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥1.9888
19.888
100
¥0.82942
82.942
1,000
¥0.56839
568.39
8,000
¥0.37629
3010.32
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-1123-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
集电极—基极电压 VCBO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
0.1 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NST848BF3T5G
直流电流增益 hFE 最大值
200 at 2 mA, 5 V
高度
0.37 mm
长度
0.6 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
0.8 mm
商标
ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
200 at 2 mA, 5 V
Pd-功率耗散
347 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
8000
子类别
Transistors
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDMC612PZ
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2SC3646S-P-TD-E
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 1A 100V
1:¥5.0737
10:¥4.2601
100:¥2.7459
1,000:¥2.1922
2,000:¥1.8532
参考库存:29814
DCX122TH-7
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 0.22K
3,000:¥0.65314
9,000:¥0.5989
24,000:¥0.56048
参考库存:27319
IRLMS6802TRPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET MOSFT P-Ch -5.6A 50mOhm 11nC Log Lvl
1:¥3.9211
10:¥3.2996
100:¥2.0114
1,000:¥1.5481
3,000:¥1.3334
参考库存:26166

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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