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晶体管
MSB1218A-RT1G参考图片

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MSB1218A-RT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 45V PNP
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数量单价合计
1
¥1.5368
1.5368
10
¥1.4012
14.012
100
¥0.49155
49.155
1,000
¥0.32996
329.96
3,000
¥0.25312
759.36
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-70-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
45 V
集电极—基极电压 VCBO
45 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
0.5 V
最大直流电集电极电流
0.1 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MSB1218A-RT1
高度
0.85 mm
长度
2.1 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.24 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
0.1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
210
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
6.200 mg
商品其它信息
优势价格,MSB1218A-RT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 800V, 12A N-Channel Power MOSFET
1:¥31.1993
10:¥27.8884
25:¥25.0521
100:¥22.826
参考库存:12124
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
1:¥3.2996
10:¥2.5199
100:¥1.3673
1,000:¥1.02943
4,000:¥0.88366
8,000:¥0.82942
参考库存:42176
晶体管
MOSFET -60V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥10.2152
10:¥8.4524
100:¥6.4523
500:¥5.5596
1,000:¥4.3844
2,500:¥4.3844
参考库存:188258
晶体管
MOSFET FET 100V 4.85 MOHM PQFN56
1:¥29.041
10:¥24.6679
100:¥21.357
250:¥20.2835
3,000:¥14.5996
6,000:查看
参考库存:89675
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 TAPE7 FET-RFSS
1:¥5.989
10:¥5.3223
25:¥4.8138
100:¥4.2149
3,000:¥2.2939
6,000:查看
参考库存:6497
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    50万现货SKU

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