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晶体管
IRFB23N20DPBF参考图片

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IRFB23N20DPBF

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库存:7,900(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.9103
13.9103
10
¥11.752
117.52
100
¥9.4468
944.68
500
¥8.2264
4113.2
1,000
¥6.8591
6859.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
24 A
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
57 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
170 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
13 S
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
32 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
SP001564048
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRFB23N20DPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet
1:¥29.7416
10:¥23.8995
100:¥21.2101
250:¥19.5942
参考库存:9027
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP package
1:¥30.51
10:¥25.8996
100:¥22.4418
250:¥21.2892
参考库存:9029
晶体管
MOSFET Dual N-Ch/Dual P-Ch EPAD Matched Pair
50:¥18.5998
100:¥17.4472
250:¥15.7522
500:¥14.1363
参考库存:37496
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
1:¥736.2854
5:¥713.3012
10:¥690.2492
25:¥658.0555
参考库存:37501
晶体管
MOSFET TO-220F MOSFET
2,000:¥3.1301
4,000:¥2.8702
10,000:¥2.6103
24,000:¥2.5764
参考库存:37506
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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