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晶体管
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BD237

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN General Purpose
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数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.4466
54.466
100
¥4.181
418.1
500
¥3.6951
1847.55
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-32-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.6 V
最大直流电集电极电流
2 A
增益带宽产品fT
3 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BD237
高度
10.8 mm (Max)
长度
7.8 mm (Max)
封装
Tube
宽度
2.7 mm (Max)
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
Pd-功率耗散
25 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
单位重量
60 mg
商品其它信息
优势价格,BD237的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 300V N-Channel QFET
1:¥20.2044
10:¥17.1308
100:¥13.7521
500:¥11.9893
1,000:¥9.9101
参考库存:8850
晶体管
射频(RF)双极晶体管 Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
1:¥3.0736
10:¥2.5312
100:¥1.5481
1,000:¥1.1978
3,000:¥1.02152
参考库存:4447
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,386.1145
2:¥1,352.7682
5:¥1,333.0158
10:¥1,314.1222
参考库存:3694
晶体管
MOSFET 40V 3Ohm
1:¥4.5313
10:¥4.52
25:¥3.7177
100:¥3.4013
参考库存:26061
晶体管
MOSFET PFET 20V 3.2A 85MO
1:¥4.068
10:¥3.4352
100:¥2.1018
1,000:¥1.6159
3,000:¥1.3786
参考库存:44713
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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