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晶体管
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2SK3078A(TE12L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 0.5 3W 10V VDSS
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数量单价合计
1
¥11.4469
11.4469
10
¥9.2208
92.208
100
¥7.0738
707.38
500
¥6.2263
3113.15
1,000
¥4.9155
4915.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
500 mA
Vds-漏源极击穿电压
10 V
增益
8 dB
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PW-Mini-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
470 MHz
系列
2SK3078
类型
RF Power MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
3 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
单位重量
50 mg
商品其它信息
优势价格，2SK3078A(TE12L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SCR514P5T100
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 80V Vceo 700mA Ic MPT3
1:¥3.2318
10:¥2.4408
100:¥1.3334
1,000:¥0.99892
2,000:¥0.86106
参考库存:12146
SST2222AHZGT116
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SOT-23 0.6A 40V VCEO
1:¥1.3108
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.28476
3,000:¥0.2147
参考库存:94793
RN1903,LF(CT
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BIAS RESISTOR Built- in Transistor 2-in-1
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.30736
参考库存:33560
FMMT413TD
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Avalanche
1:¥40.6461
10:¥34.578
100:¥29.9676
250:¥28.4308
500:¥25.5154
参考库存:55752
CSD18541F5
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 60V N ch MOSFET
1:¥3.2318
10:¥2.6894
100:¥1.6498
1,000:¥1.2656
3,000:¥1.08367
参考库存:53449

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    50万现货SKU

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