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产品分类

晶体管
IPP072N10N3GXK参考图片

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IPP072N10N3GXK

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3
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库存:3,984(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.5261
13.5261
10
¥11.526
115.26
100
¥9.2208
922.08
500
¥8.0682
4034.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
6.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
68 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
50 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
37 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
37 ns
典型接通延迟时间
19 ns
零件号别名
G IPP072N10N3 IPP072N10N3GXKSA1 SP000680830
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,IPP072N10N3GXK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET PFET TSOP6 20V/8V TR
1:¥5.2206
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
3,000:¥1.8758
参考库存:201807
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥13.3679
10:¥12.0684
100:¥9.6841
500:¥7.5371
1,000:¥6.2489
3,000:¥5.8534
参考库存:13564
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 30A 35mOhm 16.7nC LogLvl
1:¥9.2999
10:¥7.9891
100:¥6.1359
500:¥5.424
800:¥4.2827
参考库存:33166
晶体管
MOSFET -20V 3.6mOhm@10V 40A P-Ch G-III
1:¥12.5995
10:¥10.4525
100:¥8.1473
500:¥7.1303
3,000:¥7.1303
参考库存:39448
晶体管
MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.6mOhms 40nC
1:¥19.2891
10:¥16.3624
100:¥13.0628
500:¥11.4469
4,800:¥8.5315
9,600:查看
参考库存:32415
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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