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SIHA25N50E-E3参考图片

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SIHA25N50E-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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数量单价合计
1
¥28.1257
28.1257
10
¥25.1312
251.312
100
¥20.7468
2074.68
250
¥19.21
4802.5
500
¥16.9839
8491.95
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
550 V
Id-连续漏极电流
26 A
Rds On-漏源导通电阻
145 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
57 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
35 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
29 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
36 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
57 ns
典型接通延迟时间
19 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RDD020N60TL
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2,500:¥3.9889
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参考库存:52769
TSA874CW RP
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor
5,000:¥1.4238
10,000:¥1.2543
25,000:¥1.1865
50,000:¥1.1526
参考库存:52774
SST6839T216
ROHM Semiconductor
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANSISTOR SMTSST
10,000:¥0.30736
20,000:¥0.28476
50,000:¥0.26894
100,000:¥0.23052
参考库存:52779
SI7973DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 12V 12.8A 3.5W 15mohm @ 4.5V
3,000:¥10.9158
6,000:¥10.5316
9,000:¥10.1474
参考库存:52784
AIHD15N60RFATMA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 DISCRETES
1:¥19.3682
10:¥16.4415
100:¥13.1419
500:¥11.526
2,500:¥8.8366
5,000:查看
参考库存:52789

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