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晶体管
PHE13009,127参考图片

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PHE13009,127

  • WeEn Semiconductors
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) RAIL PWR-MOS
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数量单价合计
1
¥5.8421
5.8421
10
¥4.6669
46.669
100
¥3.0058
300.58
1,000
¥2.4069
2406.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
WeEn Semiconductors
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
集电极—基极电压 VCBO
700 V
集电极—射极饱和电压
0.32 V
最大直流电集电极电流
12 A
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
40
高度
9.4 mm
长度
10.3 mm
宽度
4.7 mm
商标
WeEn Semiconductors
直流集电极/Base Gain hfe Min
8
Pd-功率耗散
80 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
934055576127
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,PHE13009,127的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 4.7K
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
参考库存:260032
晶体管
MOSFET
240:¥56.3983
480:¥53.8671
720:¥49.0985
1,200:¥42.7253
参考库存:43731
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V 5.2A NPN LOW VCESAT TRANSISTOR
3,000:¥1.11418
9,000:¥1.04525
24,000:¥0.9831
45,000:¥0.9605
99,000:¥0.92999
参考库存:43736
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 900MHZ 310W NI1230-4GS
150:¥1,030.3453
参考库存:43741
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a D2PAK package
1,000:¥8.9157
2,000:¥8.2942
5,000:¥7.9891
10,000:¥7.684
参考库存:43746
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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