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晶体管
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FDP120N10

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数量单价合计
1
¥15.6731
15.6731
10
¥13.2888
132.888
100
¥10.5994
1059.94
500
¥9.2999
4649.95
1,000
¥7.7631
7763.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
74 A
Rds On-漏源导通电阻
12 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
170 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP120N10
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
105 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
39 ns
典型接通延迟时间
27 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，FDP120N10的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RN2116MFV(TL3,T)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor PNP 4.7kohm -100mA -50V
1:¥1.695
10:¥1.06785
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1,000:¥0.30736
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:25294
SIHP24N65EF-GE3
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MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
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参考库存:25299
NCR100W-10MX
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1:¥3.1527
10:¥2.1018
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参考库存:25304
PDTB143EUF
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V PNP resistor-equipped
10,000:¥0.34578
20,000:¥0.32318
50,000:¥0.29945
100,000:¥0.26103
参考库存:25309
PUMD6,125
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TransDigital BJT NPN PNP 50V 100mA 6-Pin
3,000:¥0.34578
9,000:¥0.29945
24,000:¥0.27685
45,000:¥0.26103
99,000:¥0.23052
参考库存:25314

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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