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晶体管
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FGA30S120P

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数量单价合计
1
¥31.5044
31.5044
10
¥26.7358
267.358
100
¥23.2102
2321.02
250
¥21.9785
5494.625
500
¥19.7524
9876.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PN
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1300 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
25 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
174 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGA30S120P
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
500 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格，FGA30S120P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BD243CG
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 6A 100V 65W NPN
1:¥7.3789
10:¥6.2828
参考库存:16212
SNJ450113
InterFET
晶体管
JFET JFET N-Channel -25V 10mA -45Vgss 15pF
1:¥164.5958
10:¥138.4702
100:¥127.3962
250:¥116.1075
参考库存:4629
PSMN2R7-30PL,127
Nexperia
晶体管
MOSFET N-CHAN 30V 100A
1:¥11.752
10:¥10.0683
100:¥7.7631
500:¥6.8026
参考库存:28476
MJE3055TG
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 10A 60V 125W NPN
1:¥6.9947
10:¥5.7517
100:¥3.7064
1,000:¥2.9719
参考库存:29863
MJ21195G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 16A 250V 250W PNP
1:¥55.0197
10:¥49.7878
50:¥47.4148
100:¥41.1885
200:¥39.3466
参考库存:4990

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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