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晶体管
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FDA38N30

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数量单价合计
1
¥20.5208
20.5208
10
¥17.4472
174.472
100
¥15.142
1514.2
250
¥14.3736
3593.4
500
¥12.9046
6452.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PN-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
300 V
Id-连续漏极电流
38 A
Rds On-漏源导通电阻
70 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
60 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
Pd-功率耗散
312 W
配置
Single
商标名
UniFET
封装
Tube
高度
20.1 mm
长度
16.2 mm
系列
FDA38N30
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
6.3 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格,FDA38N30的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V NPN LOW VCE(SAT)
1:¥2.7685
10:¥1.8419
100:¥0.7684
1,000:¥0.52206
3,000:¥0.4068
参考库存:77752
晶体管
MOSFET 30Vds N-Ch Enh FET 12Vgs 40A 1.2W 6.9A
1:¥6.6105
10:¥5.7291
100:¥3.9776
1,000:¥2.9493
2,000:¥2.4973
参考库存:17494
晶体管
MOSFET N-channel 60 V, 4.7 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥13.221
10:¥11.2209
100:¥8.9948
500:¥7.8422
参考库存:12191
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:163488
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode Fet 60V 20Vgss 0.47W
1:¥2.8476
10:¥1.9323
100:¥0.80682
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.43053
参考库存:15490
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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