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晶体管
KSD880YTU参考图片

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KSD880YTU

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库存:17,632(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.4579
5.4579
10
¥4.4974
44.974
100
¥2.8928
289.28
1,000
¥2.3165
2316.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
0.4 V
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
3 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
KSD880
直流电流增益 hFE 最大值
300
高度
9.4 mm (Max)
长度
10.1 mm (Max)
封装
Tube
宽度
4.7 mm (Max)
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
Pd-功率耗散
30 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,KSD880YTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V P-Ch Enh FET 8Vgss -20Vdss -40A
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.8419
参考库存:25216
晶体管
MOSFET NCH 250V 3A TP-FA(DPAK)
1:¥5.6839
10:¥4.7234
100:¥3.0397
700:¥2.4408
参考库存:14168
晶体管
MOSFET N-Ch 800V 3.9A DPAK-2
1:¥8.9948
10:¥7.684
100:¥5.8986
500:¥5.2206
1,000:¥4.1132
2,500:¥4.1132
参考库存:221345
晶体管
MOSFET N-Ch Digital
1:¥2.3052
10:¥1.5933
100:¥0.66896
1,000:¥0.45313
3,000:¥0.35369
参考库存:12992182
晶体管
MOSFET U-MOSVIII-H 60V 130A 72nC MOSFET
1:¥21.7412
10:¥17.515
100:¥13.9894
500:¥12.2944
5,000:¥9.1417
10,000:查看
参考库存:54224
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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