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晶体管
IGW60N60H3参考图片

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IGW60N60H3

  • Infineon Technologies
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数量单价合计
1
¥51.7879
51.7879
10
¥46.7933
467.933
25
¥44.5672
1114.18
100
¥38.7251
3872.51
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
416 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW60N60H3FKSA1 IGW6N6H3XK SP000925524
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IGW60N60H3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
D3
晶体管
MOSFET 80 mOhm 650V Superjunction Power MOSFET in TO-247
600:¥20.2044
1,020:¥17.063
2,520:¥16.2155
5,010:¥15.594
参考库存:50779
晶体管
MOSFET 700V, 8A, 0.6 N Channel Power Mosfet
4,000:¥6.78
10,000:¥6.6444
参考库存:50784
晶体管
MOSFET Trans MOSFET N-CH 60V 22A
2,500:¥3.9211
10,000:¥3.7855
25,000:¥3.6612
参考库存:50789
晶体管
JFET JFET N-Channel Dual
62:¥115.5651
100:¥106.3443
250:¥96.9766
500:¥90.5921
参考库存:50794
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 50Vcbo Trans 45Vce 5.0Vebo 100mA
18,000:¥0.40002
24,000:¥0.36838
45,000:¥0.32996
99,000:¥0.31527
参考库存:935848
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    50万现货SKU

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