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FGH50T65UPD

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数量单价合计
1
¥38.646
38.646
10
¥32.8152
328.152
100
¥28.4308
2843.08
250
¥26.9731
6743.275
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
25 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
240 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGH50T65UPD
封装
Tube
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格，FGH50T65UPD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZXTN4004KQTC
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2N3503
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Diodes Incorporated
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3,000:¥0.27685
9,000:¥0.23843
24,000:¥0.22261
45,000:¥0.20792
参考库存:154666

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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