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晶体管
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FDP8N50NZ

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数量单价合计
1
¥9.0626
9.0626
10
¥7.7631
77.631
100
¥5.9777
597.77
500
¥5.2884
2644.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
770 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Qg-栅极电荷
18 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
139 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
UniFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP8N50NZ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
6.3 S
下降时间
60 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
80 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
95 ns
典型接通延迟时间
45 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FDP8N50NZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10:¥1.08367
100:¥0.45313
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1,000:¥1.2091
5,000:¥1.2091
参考库存:37564
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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