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晶体管
FGAF20N60SMD参考图片

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FGAF20N60SMD

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库存:5,775(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥29.041
29.041
10
¥24.6679
246.679
100
¥21.357
2135.7
250
¥20.2835
5070.875
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PF
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
62.5 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGAF20N60SMD
封装
Tube
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
360
子类别
IGBTs
单位重量
7 g
商品其它信息
优势价格,FGAF20N60SMD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥376.6742
2:¥366.4477
5:¥356.3116
10:¥346.1642
参考库存:4103
晶体管
MOSFET SINGLE NCH LOG LVEL PWR TRENCH MOSFET
1:¥3.2318
10:¥2.7233
100:¥1.6611
1,000:¥1.2882
3,000:¥1.09158
参考库存:284505
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 4.4A DPAK-2
1:¥7.8422
10:¥6.7122
100:¥5.1641
500:¥4.5652
1,000:¥3.6047
2,500:¥3.6047
参考库存:103842
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF TRANSISTOR
1:¥1.695
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.26103
参考库存:228939
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial
1:¥24.973
10:¥21.2101
100:¥18.4416
250:¥17.4472
参考库存:5686
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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