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晶体管
FQD20N06TM参考图片

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FQD20N06TM

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库存:19,847(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.6105
6.6105
10
¥5.4805
54.805
100
¥3.5369
353.69
1,000
¥2.825
2825
2,500
¥2.825
7062.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
16.8 A
Rds On-漏源导通电阻
63 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FQD20N06
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
10 S
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
45 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
5 ns
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格,FQD20N06TM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥10.5994
10:¥9.0626
100:¥6.9947
500:¥6.1811
1,000:¥4.8816
参考库存:1344
晶体管
MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
3,000:¥1.4012
参考库存:136321
晶体管
MOSFET LOW POWER_LEGACY
1:¥13.7521
10:¥11.6842
100:¥9.379
500:¥8.1473
2,500:¥6.328
5,000:查看
参考库存:41548
晶体管
MOSFET FET 100V 20.0 MOHM PQFN
1:¥20.2835
10:¥17.289
100:¥14.9838
250:¥14.2154
3,000:¥10.2152
6,000:查看
参考库存:16280
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
1:¥21.7412
10:¥18.4416
100:¥14.7578
500:¥12.9046
1,000:¥10.6785
参考库存:6467
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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