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晶体管
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FDN358P

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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.5312
25.312
100
¥1.3786
137.86
1,000
¥1.02943
1029.43
3,000
¥0.89157
2674.71
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SSOT-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
125 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.12 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
FDN358P
晶体管类型
1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.4 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
3.5 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
5 ns
零件号别名
FDN358P_NL
单位重量
30 mg
商品其它信息
优势价格,FDN358P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
1:¥21.131
10:¥17.8992
100:¥14.3736
500:¥12.5204
1,000:¥10.3734
参考库存:16633
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 20A 40V 27W 985pF 0.034
1:¥7.458
10:¥5.7743
100:¥3.7177
1,000:¥2.9832
2,000:¥2.5086
参考库存:29498
晶体管
MOSFET MP-3ZK PoTr-MOSFET Low
2,500:¥5.6048
5,000:¥5.1867
参考库存:29503
晶体管
IGBT 晶体管 HIGH SPEED 2 TECH 1200A 1A
1:¥10.5994
10:¥8.9948
100:¥6.9495
500:¥6.1472
2,500:¥4.3053
10,000:查看
参考库存:88675
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥15.5262
10:¥13.221
100:¥10.5316
500:¥9.2208
800:¥7.6388
参考库存:29510
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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