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晶体管
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FCP130N60

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库存：5,049(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥25.7414
25.7414
10
¥21.8994
218.994
100
¥18.984
1898.4
250
¥17.9783
4494.575
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
28 A
Rds On-漏源导通电阻
130 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, 30 V
Qg-栅极电荷
54 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
278 W
配置
Single
商标名
SuperFET II
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FCP130N60
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
26 S
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
65 ns
典型接通延迟时间
25 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，FCP130N60的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF6VP3091NR5
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W
1:¥837.782
5:¥821.4987
10:¥794.3674
25:¥760.7951
50:¥750.3426
参考库存:25833
MMRF1023HSR5
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1023HS/CFM6F///REEL 13
1:¥1,382.7358
5:¥1,351.8416
10:¥1,324.1792
25:¥1,304.6641
参考库存:25838
A2T18H100-25SR3
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18H100-25S/CFM8F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥855.1501
参考库存:25843
PBSS5160TVL
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BL Bipolar Discretes
10,000:¥0.5537
30,000:¥0.51528
50,000:¥0.46104
100,000:¥0.44522
参考库存:25848
FM6L52020L
Panasonic
晶体管
MOSFET Nch Power MOS FET -
1:¥4.1471
10:¥3.0284
100:¥1.9097
500:¥1.5481
10,000:¥1.2204
参考库存:25853

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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