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晶体管
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FDS6692A

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数量单价合计
1
¥6.8365
6.8365
10
¥5.65
56.5
100
¥3.6386
363.86
1,000
¥2.9154
2915.4
2,500
¥2.9154
7288.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
8.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.47 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
FDS6692A
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
3.9 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
32 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
32 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
130 mg
商品其它信息
优势价格,FDS6692A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
3,000:¥0.52997
9,000:¥0.46895
24,000:¥0.43844
参考库存:40852
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.49946
9,000:¥0.44522
24,000:¥0.42262
45,000:¥0.3616
参考库存:40857
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.47686
9,000:¥0.42262
24,000:¥0.40002
45,000:¥0.34578
参考库存:40862
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 225A 1700V
1:¥1,148.4529
5:¥1,125.932
10:¥1,073.4548
25:¥1,050.8661
参考库存:9200
晶体管
MOSFET TRANS MOSFET NCH 500V 11A 3PIN
1:¥23.1311
10:¥19.6733
100:¥17.063
250:¥16.2155
1,000:¥12.2153
2,000:查看
参考库存:40869
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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