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产品分类

晶体管
2N7000-D26Z参考图片

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2N7000-D26Z

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET N-CHANNEL 60V 200mA
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库存:97,051(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥1.9097
19.097
100
¥0.82264
82.264
1,000
¥0.63054
630.54
2,000
¥0.48364
967.28
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
200 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
400 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
5.33 mm
长度
5.2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
2N7000
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.19 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
0.1 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
零件号别名
2N7000_D26Z
单位重量
201 mg
商品其它信息
优势价格,2N7000-D26Z的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET FET 60V 5.0 OHM SOT323
1:¥1.695
10:¥1.1978
100:¥0.49946
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26894
参考库存:2948806
晶体管
MOSFET
1:¥12.5204
10:¥10.6785
100:¥8.2264
500:¥7.2885
5,000:¥5.1076
10,000:查看
参考库存:33458
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS
暂无价格
参考库存:30628
晶体管
MOSFET N-CH 60 V 360 mA
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:1598805
晶体管
IGBT 晶体管 650 V 80 A 268 W
1:¥33.8887
10:¥28.815
100:¥24.973
250:¥23.7413
500:¥21.2892
参考库存:31642
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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