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晶体管
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FQB8N60CTM

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数量单价合计
1
¥12.2944
12.2944
10
¥10.4525
104.525
100
¥8.3733
837.33
500
¥7.3111
3655.55
800
¥7.3111
5848.88
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
7.5 A
Rds On-漏源导通电阻
1.2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.13 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
FQB8N60C
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
8.7 S
下降时间
64.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
60.5 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
81 ns
典型接通延迟时间
16.5 ns
零件号别名
FQB8N60CTM_NL
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格,FQB8N60CTM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10,000:查看
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1:¥16.4415
10:¥13.9894
100:¥11.1418
500:¥9.7632
1,000:¥8.1473
参考库存:9799
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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    明码标价节省时间成本

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