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晶体管
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FQI7N60TU

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数量单价合计
1
¥16.8257
16.8257
10
¥14.2945
142.945
100
¥11.4469
1144.69
500
¥9.9892
4994.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
7.4 A
Rds On-漏源导通电阻
1 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.13 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
7.88 mm
长度
10.29 mm
系列
FQI7N60
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.83 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
6.4 S
下降时间
60 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
80 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
65 ns
典型接通延迟时间
30 ns
零件号别名
FQI7N60TU_NL
单位重量
2.084 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1,000:¥0.42262
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  • 海量现货

    50万现货SKU

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