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晶体管
FDP18N20F参考图片

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FDP18N20F

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库存:10,186(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.6785
10.6785
10
¥9.0626
90.626
100
¥6.9947
699.47
500
¥6.1811
3090.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
140 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
100 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
UniFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP18N20F
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
50 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FDP18N20F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP G.P. Transistor 3 Pin
1:¥160.8216
10:¥156.9118
100:¥154.0642
250:¥148.3012
参考库存:2660
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥19.1309
10:¥17.2099
25:¥15.4471
100:¥13.8312
2,500:¥8.3733
5,000:查看
参考库存:13852
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed
1:¥30.51
10:¥25.8996
100:¥22.4418
250:¥21.2892
参考库存:2564
晶体管
MOSFET N-channel 30 V, 0.0011 Ohm typ., 260 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥15.2098
10:¥12.9046
100:¥10.3734
500:¥9.0626
3,000:¥6.9721
6,000:查看
参考库存:40011
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥5.6048
10:¥4.6669
100:¥3.0171
1,000:¥2.4182
2,000:¥2.147
参考库存:3658
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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