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晶体管
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FDP10N60NZ

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数量单价合计
1
¥13.9103
13.9103
10
¥11.8311
118.311
100
¥9.4468
944.68
500
¥8.2942
4147.1
1,000
¥6.893
6893
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
640 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
23 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
185 W
配置
Single
商标名
UniFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP10N60NZ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
14 S
下降时间
50 nS
产品类型
MOSFET
上升时间
50 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 nS
典型接通延迟时间
25 nS
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FDP10N60NZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V PNP resistor-equipped
1:¥2.6103
10:¥1.7967
100:¥0.75258
1,000:¥0.51528
3,000:¥0.40002
参考库存:36486
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V PNP Medium Pwr Low Sat Transistor
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
2,500:¥1.5594
参考库存:43988
晶体管
JFET N-Ch Dual JFET -40V 50mA 650mW 3.3mW
1:¥175.5003
10:¥149.2278
100:¥138.6171
250:¥127.1702
参考库存:6495
晶体管
MOSFET -60V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
1:¥6.9156
10:¥5.4918
100:¥4.1697
500:¥3.4465
参考库存:26900
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W
1:¥6.8365
10:¥5.6048
100:¥4.3053
500:¥3.7064
1,000:¥2.9154
3,000:¥2.9154
参考库存:22172
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

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