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晶体管
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FQP33N10

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数量单价合计
1
¥12.2944
12.2944
10
¥10.5316
105.316
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.0964
3548.2
1,000
¥5.6048
5604.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
33 A
Rds On-漏源导通电阻
52 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
127 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FQP33N10
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
22 S
下降时间
110 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
195 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
80 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，FQP33N10的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMC964010R
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24,000:¥0.22261
45,000:¥0.20792
参考库存:43099

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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