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晶体管
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RFD14N05L

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库存：16,095(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.8421
5.8421
10
¥4.8138
48.138
100
¥3.1075
310.75
1,000
¥2.486
2486
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Id-连续漏极电流
14 A
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
48 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
6.3 mm
长度
6.8 mm
系列
RFD14N05L
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
1800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
42 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
RFD14N05L_NL
单位重量
343.080 mg
商品其它信息
优势价格，RFD14N05L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SPA11N80C3
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
1:¥21.131
10:¥17.8992
100:¥14.3736
500:¥12.5204
1,000:¥10.3734
参考库存:16633
TK20P04M1,RQ(S
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 20A 40V 27W 985pF 0.034
1:¥7.458
10:¥5.7743
100:¥3.7177
1,000:¥2.9832
2,000:¥2.5086
参考库存:29498
NP55N055SDG-E1-AY
Renesas Electronics
晶体管
MOSFET MP-3ZK PoTr-MOSFET Low
2,500:¥5.6048
5,000:¥5.1867
参考库存:29503
IGD01N120H2
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 HIGH SPEED 2 TECH 1200A 1A
1:¥10.5994
10:¥8.9948
100:¥6.9495
500:¥6.1472
2,500:¥4.3053
10,000:查看
参考库存:88675
BUK762R7-30B,118
Nexperia
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥15.5262
10:¥13.221
100:¥10.5316
500:¥9.2208
800:¥7.6388
参考库存:29510

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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