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晶体管
BD679G参考图片

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BD679G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 4A 80V Bipolar Power NPN
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库存:19,862(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.9946
4.9946
10
¥4.1132
41.132
100
¥2.6555
265.55
1,000
¥2.1244
2124.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
最大直流电集电极电流
4 A
最大集电极截止电流
200 uA
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-225AA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BD679
封装
Bulk
直流电流增益 hFE 最大值
750 at 1.5 A at 3 V
高度
11.04 mm
长度
7.74 mm
宽度
2.66 mm
商标
ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
750
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格,BD679G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET JFET N-Channel
69:¥103.508
100:¥95.2025
250:¥86.8292
500:¥81.1453
参考库存:47789
晶体管
MOSFET -30V, -36A, Single P Channel Power MOSFET
10,000:¥1.5707
20,000:¥1.5142
参考库存:47794
晶体管
IGBT 晶体管 DISCRETES
1:¥14.9047
10:¥12.6786
100:¥10.1474
500:¥8.8366
2,500:¥6.8591
5,000:查看
参考库存:47799
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High voltage Fast Switching NPN Transistor with diode
15,000:¥2.0227
24,375:¥1.9436
参考库存:47804
晶体管
MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 16mOhms
3,000:¥6.4749
6,000:¥6.2263
9,000:¥5.989
参考库存:47809
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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