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晶体管
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FDP3651U

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数量单价合计
1
¥21.0519
21.0519
10
¥17.8992
178.992
100
¥15.5262
1552.62
250
¥14.7578
3689.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
15 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
255 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP3651U
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FDP3651U的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Trans Pre-Biased NPN 50V R1 47K R2 47
1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
3,000:¥0.33787
参考库存:136107
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥4.7686
10:¥3.9211
100:¥2.5312
1,000:¥2.034
2,000:¥2.034
参考库存:19619
晶体管
MOSFET 350V 10Ohm
1:¥9.7632
10:¥9.605
25:¥8.0682
100:¥7.3563
2,000:¥5.0737
4,000:查看
参考库存:9996
晶体管
IGBT 晶体管 600V 10A NPT IGBT
1:¥14.6787
10:¥12.4526
100:¥9.9892
500:¥8.6784
1,000:¥7.2433
参考库存:7248
晶体管
MOSFET 40V 2Ohm
1:¥8.2942
10:¥8.2264
25:¥6.8817
100:¥6.2602
2,000:¥4.3166
4,000:查看
参考库存:6445
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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