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晶体管
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HUFA76409D3ST

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数量单价合计
1
¥6.6896
6.6896
10
¥5.763
57.63
100
¥4.4296
442.96
500
¥3.9211
1960.55
2,500
¥2.7459
6864.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
52 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
49 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
UltraFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
HUFA76409D3ST
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
50 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
34 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
41 ns
典型接通延迟时间
5.3 ns
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格,HUFA76409D3ST的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥2.3843
10:¥1.582
100:¥0.66105
1,000:¥0.45313
3,000:¥0.35369
参考库存:116035
晶体管
MOSFET 800V N-Channel QFET
1:¥12.5995
10:¥10.7576
100:¥8.2264
500:¥7.2659
800:¥5.7404
参考库存:12522
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥2.7685
10:¥2.2261
100:¥1.07576
1,000:¥0.82942
参考库存:9369
晶体管
MOSFET N-Ch 31V to 99V 60V 120mOhm 606pF
1:¥3.2318
10:¥2.6781
100:¥1.6272
1,000:¥1.2656
3,000:¥1.07576
参考库存:29561
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1700V 100A
1:¥1,348.7002
5:¥1,316.2692
10:¥1,283.6122
25:¥1,265.6339
参考库存:4343
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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