您好!欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
FJP13009H2TU参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

FJP13009H2TU

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:9,704(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.8422
7.8422
10
¥6.6783
66.783
100
¥5.1302
513.02
500
¥4.5313
2265.65
1,000
¥3.5821
3582.1
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
集电极—基极电压 VCBO
700 V
发射极 - 基极电压 VEBO
9 V
集电极—射极饱和电压
1 V
最大直流电集电极电流
12 A
增益带宽产品fT
4 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FJP13009
高度
9.4 mm (Max)
长度
10.1 mm (Max)
封装
Tube
宽度
4.7 mm (Max)
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
12 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
8
Pd-功率耗散
100 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
FJP13009H2TU_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FJP13009H2TU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥14.1363
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.3733
参考库存:5738
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥9.0626
10:¥7.5258
100:¥5.7743
500:¥4.972
2,500:¥4.972
参考库存:14260
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH 12 V 30 mA
1:¥3.3787
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
3,000:¥0.92208
9,000:¥0.86106
参考库存:32392
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
1:¥2.8476
10:¥2.0001
100:¥0.92208
1,000:¥0.70738
2,000:¥0.60681
参考库存:16469
晶体管
MOSFET Dl 60V N-Chnl UMOS
1:¥9.0626
10:¥7.7631
100:¥5.9664
500:¥5.2771
1,000:¥4.1697
参考库存:1571
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话:0755-82331103

手机:13048971103

传真:0755-82331102

Email: 1531762882@qq.com

Q Q:

地址:深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号

24小时在线客服
热线电话
微信联系我们 微信扫码联系我们