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晶体管
RGTH00TS65GC11参考图片

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RGTH00TS65GC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 50A IGBT Stop Trench
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数量单价合计
1
¥28.7359
28.7359
10
¥24.4306
244.306
100
¥21.131
2113.1
250
¥20.0575
5014.375
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
85 A
Pd-功率耗散
277 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RGTH00TS65
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
85 A
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
50 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
RGTH00TS65
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,RGTH00TS65GC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥1.2317
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:57208
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DIGITL PNP 50V 30MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:53985
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Pwr Darlington
1:¥18.6676
10:¥16.5997
100:¥13.2888
500:¥11.6842
1,000:¥9.6841
参考库存:7662
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 USM PLN TRANSISTOR Pd=100mW F=1MHz
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.30736
参考库存:22724
晶体管
MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
1:¥33.2672
10:¥28.2726
100:¥24.5097
250:¥23.278
参考库存:5476
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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