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晶体管
IPD50N08S4-13参考图片

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IPD50N08S4-13

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数量单价合计
1
¥7.458
7.458
10
¥6.3845
63.845
100
¥4.9042
490.42
500
¥4.3392
2169.6
2,500
¥3.0397
7599.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
11.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
72 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
XPD50N08
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
11.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.6 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6.4 ns
典型接通延迟时间
5 ns
零件号别名
IPD50N08S413ATMA1 SP000988948
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,IPD50N08S4-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1000mW 160Vceo
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
2,500:¥1.00683
参考库存:303371
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 300V 200mW
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:145188
晶体管
MOSFET U-MOSVIII-H 60V 37A 23nC MOSFET
1:¥7.684
10:¥5.9212
100:¥3.8194
1,000:¥3.0623
3,000:¥2.5764
参考库存:52555
晶体管
JFET NCH+NCH J-FET
1:¥4.6895
10:¥3.842
100:¥2.4747
1,000:¥1.9775
3,000:¥1.9775
参考库存:31197
晶体管
MOSFET P-CH -250V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥11.9893
10:¥9.9892
100:¥7.684
500:¥6.7348
1,000:¥5.5709
2,000:¥5.5709
参考库存:12004
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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